Moleküler ışın epitaksi veya MBE, kristal substratlar üzerinde yüksek kaliteli ince kristal filmleri yetiştirmek için yeni bir tekniktir. Ultra yüksek vakum koşullarında, ısıtma sobası ile her türlü gerekli bileşenle donatılmıştır ve kiriş atomik veya moleküler kirişten sonra oluşan deliklerden buhar üretir, tek kristal substratın uygun sıcaklığına doğrudan enjeksiyonu, moleküler ışını kontrol ederek enjeksiyon Substrat taraması aynı anda, kristal hizalama katmanlarındaki molekülleri veya atomları bir substrat "büyümesi" üzerinde ince bir film oluşturmasını sağlayabilir.

MBE ekipmanının normal çalışması için, yüksek saflık, düşük basınç ve ultra temiz sıvı azotunun sürekli ve stabil bir şekilde ekipmanın soğutma odasına taşınması gerekmektedir. Genel olarak, sıvı azot sağlayan bir tank, 0.3MPa ile 0.8MPa arasında bir çıkış basıncına sahiptir. -196 ℃ 'da sıvı azot, boru hattı taşıma sırasında azot içine kolayca buharlaştırılır. Boru hattında yaklaşık 1: 700 gaz-sıvı oranı olan sıvı azot gazlıya girdiğinde, büyük miktarda sıvı azot akış alanı kaplayacak ve sıvı azot boru hattının sonundaki normal akışı azaltacaktır. Ek olarak, sıvı azot depolama tankında, temizlenmemiş enkaz olması muhtemeldir. Sıvı azot boru hattında, ıslak havanın varlığı da buz cürufunun üretilmesine yol açacaktır. Bu safsızlıklar ekipmana taburcu edilirse, ekipmanda öngörülemeyen hasara neden olacaktır.

Bu nedenle, dış mekan depolama tankındaki sıvı azot, yüksek verimlilik, stabilite ve temiz olan tozsuz atölyedeki MBE ekipmanına ve düşük basınç, azot yok, safsızlık yok, 24 saat kesintisiz, bu tür ulaşım kontrol sistemi nitelikli bir ürün.